2013年2月24日至2月28日，NOM研究组两位博士生陈修国、吕稳在刘世元教授和张传维讲师的带领下赴美国加州圣何塞市参加了由国际光学工程学会（SPIE）主办的2013年先进光刻国际会议(Advanced Lithography 2013)。
会议期间，陈修国和吕稳分别以墙报形式展示了各自的研究成果：“Measurement configuration optimization for grating reconstruction by Mueller matrix polarimetry”，主要讨论Muelller矩阵偏振仪的测量条件优化配置问题，提出了一种以配置误差传递矩阵的范数为评价函数的测量配置优化方法以提高参数提取过程的准确度；“Pixel-based inverse lithography using a mask filtering technique”，提出了一种新颖的基于掩模滤波技术的逆向光刻计算模型，提高了掩模优化的效率和实际可制造性。
这两项成果引起了Mentor Graphic、 Synoposys等知名公司以及众多同行的广泛关注与兴趣。与会期间，NOM小组成员认真听取了大会各分会场的报告及发言，结识了来自各国的纳米测量、计算光刻领域同行，深入探讨了今后可能的学术合作机会。
本届SPIE大会热烈讨论了下一代光刻技术和测量面临的挑战，会议的一系列研究成果与轻松友好的氛围给所有与会者留下了深刻的印象。