当前位置: 网站首页   >   新闻列表   >   正文

NOM研究组成员赴美国参加SPIE-AL 2012国际会议

时间:2012-02-20

2012年2月12日至2月16日,NOM研究组2009级硕士生吴小飞、2010级博士生朱金龙、周新江三位同学在刘世元教授的带领下赴美国加州圣何塞市参加了由国际光学工程学会主办的2012年先进光刻国际会议(SPIE Advanced Lithography 2012,SPIE-AL 2012)。


会议期间,朱金龙和吴小飞分别以墙报形式展示了各自的研究成果:“Classification and recognition of diffraction structures using support vector machine in optical scatterometry”和“In-situ measurement of lens aberrations in lithographic tools using CTC-based quadratic aberration model”。


“Classification and recognition of diffraction structures using support vector machine in optical scatterometry”主要讨论了纳米结构形貌的识别与分类,以及如何加速库匹配搜索流程的问题,提出了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法以及库匹配加速策略。


“In-situ measurement of lens aberrations in lithographic tools using CTC-based quadratic aberration model”提出了一种基于三阶互相关快速算法的二阶检测模型,讨论了原位波像差检测问题。


这两项成果引起了包括台湾工业研究院量测技术发展中心顾逸霞研究员和本届大会主席Donis Flagello等众多同行的广泛关注与兴趣。与会期间,NOM小组成员认真听取了大会各分会场的报告及发言,并且结识了来自各国的光刻、纳米测量领域同行,深入探讨了今后可能的学术合作机会。


本届SPIE大会于2012年2月16日圆满结束,会议上的一系列研究成果与轻松友好的氛围给所有与会者留下了深刻的印象。


news_20120220_1.jpg
news_20120220_2.jpg
news_20120220_3.jpg