2010年10月27日，应NOM研究组刘世元教授的邀请，上海微电子装备有限公司(SMEE) Anatoly Burov博士一行来访我校，并于27日晚上在武汉光电国家实验室（筹）A302会议室做了一场主题为“光刻原理与计算光刻”的学术报告，我校数字制造装备与技术国家重点实验室、武汉光电国家实验室（筹）及相关院系的多名师生参加了此次学术交流。
Anatoly Burov博士详细讲解了微电子集成电路芯片制造的主要过程，着重强调芯片爆光是大批量生产制造的关键步骤，且对实现这一步骤的光刻工艺的原理作了详细阐述。他提出随着集成电路芯片关键尺寸的不断减小，对光刻工艺提出了越来越苛刻的要求，因此不断提高光刻分辨率就成为国际上广大研究工作者一直努力的研究方向，而计算光刻则是进一步提高光刻分辨率的又一个非常重要的途径。Anatoly Burov博士举例说明了他所在的上海微电子装备有限公司在该领域所做的大量有意义的研究工作，也提到了刘世元教授领导的纳米光学测量研究组在该方面的很多研究进展。
Anatoly Burov博士出生于俄罗斯圣彼得堡，后来留学美国，先后在罗彻斯特理工学院获得光学工程学士、硕士和博士学位。他于2007年来到中国，成为上海微电子装备有限公司的一名全职员工，领导并负责计算光刻方面的研究工作。
在学术报告之后，上海微电子装备有限公司新技术研发部经理王帆博士向参加学术报告的师生简要介绍了公司概况及其发展历程，并热烈欢迎我校毕业研究生能够到公司工作，鼓励他们为我国的光刻机研发事业贡献自己的力量。
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