2016年5月15日下午1:30，NOM组陈修国博士在武汉国家数字装备重点实验室机械先进制造大楼东C303会议室进行了博士后研究工作报告答辩。答辩委员会主席为清华大学物理系马辉教授、答辩委员包括浙江大学机械工程学院居冰峰教授、华中科技大学机械科学与工程学院史铁林教授、李斌教授、刘晓军教授、汤自荣教授、刘世元教授以及华中科技大学材料科学与工程学院吴懿平教授，答辩秘书为江浩副教授。
陈修国博士的博士后研究工作报告题目为“穆勒矩阵成像椭偏仪研制及其在纳米结构测量中的应用”，在报告中陈修国博士介绍了所研制的国内首台光谱型穆勒矩阵成像椭偏仪原理样机。该仪器可以实现400~700nm波长范围内全部4?4阶成像穆勒矩阵的快速准确测量，单波长条件下成像穆勒矩阵测量时间~10s，成像区域大于5?5mm2，全部成像区域和全光谱范围内穆勒矩阵元素测量精确度和准确度均优于0.01。在此基础上，结合提出的穆勒矩阵成像椭偏仪测量数据分析方法，首次实现了纳米压印工艺中硅基光栅模板、光刻工艺中光刻胶光栅结构、以及闪存工艺中典型深刻蚀沟槽纳米结构三维形貌的大面积准确重构。所研制的穆勒矩阵成像椭偏仪具有传统穆勒矩阵椭偏仪测量信息全、光谱灵敏度高的优势，同时又具有显微成像技术高空间分辨率的优点，有望为批量化纳米制造中纳米结构几何参数提供一种大面积、快速、低成本、非破坏性精确测量新途径。
答辩中，陈修国博士对答辩委员会提出的问题一一进行了解答。最后，答辩委员会一致认为陈修国博士具备了较高的学术水平与独立从事科学研究的能力，同意陈修国博士的博士后出站申请。