2015年3月18日上午，应数字制造装备与技术国家重点实验室邀请，美国IBM半导体研究和开发中心高级研究员Kafai Lai博士来访我校，为广大师生做了一场题为“面向7 nm及以下技术节点的基于波长和材料的半导体制造方法（Wavelength and Material based scaling for semiconductor at and beyond 7nm node）”的精彩学术报告。报告由刘世元教授主持。
报告中，Kafai Lai博士介绍了集成电路关键尺寸下降到7 nm技术节点所面临的一系列挑战，以及在实现这种极小尺寸制造上所取得的最新进展。Kafai Lai博士首先深入浅出的讲解了光刻成像的过程、基本原理、和建模的方法，然后重点介绍了极紫外光刻技术和基于材料的定向自组装技术在7nm节点中的应用和所面临的困境。在报告现场，同学们表现出极大的兴趣，报告后，就如何进行光学建模等问题和Lai博士进行了深入的探讨。
Kafai Lai博士1988年本科毕业于香港大学电机与电子工程系，1992年和1995年先后获美国德克萨斯州大学奥斯汀分校光电工程和微电子工程硕士和博士学位。1995-1998年在美国罗克韦尔半导体系统公司担任工艺工程师，1999年任职于德州仪器公司，此后一直在美国纽约IBM半导体研究和开发中心任高级研究员。在光刻领域，Kafai Lai博士拥有20多年的研究经验，做出了很多开创性的工作和杰出的贡献，申请国际专利74项，研究工作受到国际同行的认可。Kafai Lai博士是国际光学工程学会（SPIE）和美国光学学会（OSA）会士。